Компания Hynix готовит выпуск новой памяти DDR-4 с использованием 10-нм техпроцесса

hynix_01

Стоит заметить, что ближайший конкурент – корпорация Samsung выпускает память только в 8-гигабитных микросхемах.

В пресс-релизе Hynix сообщается, что разработка технологии «1Znm» для выпуска памяти DDR4 объемом 16 Гб завершена. Производительность памяти увеличилось примерно на 27%, по сравнению с предыдущим поколением «1Ynm». Процесс изготовления не требует применения весьма дорогой ультрафиолетовой литографии (EUV), что положительно сказывается на себестоимости изготовления и конечной стоимости продукта.

Новая линейка памяти поддерживает скорость передачи данных вплоть до 3200 Мбит\сек, что является самым быстрым показателем на рынке, в интерфейсе DDR 4. Энергопотребление памяти снизилось примерно на 40% по сравнению с модулями памяти той-же плотности, выполненными по технологии «1Ynm».

«1Znm DDR4 DRAM может похвастаться самой высокой плотностью, скоростью и энергоэффективностью в отрасли, что делает его лучшим продуктом для удовлетворения потребностей клиентов, ищущих высокопроизводительные системы. Hynix начнет массовое производство и поставки в следующем году, чтобы активно реагировать на рыночный спрос» - говорит Ли Юнг Хун, глава разработки 1Znm.

Hynix планирует расширить технологический процесс «1Znm» для различных направлений, таких как LPDDR5, мобильный DRAM следующего поколения и HBM3.

Источник - skhynix.com

Теги DDR4 Hynix новинка оперативная память оперативка